便攜式樣品傳送腔體 參考價(jià)：面議
便攜式樣品傳送腔體是一種專門設(shè)計(jì)用于在超高真空環(huán)境中傳送和處理樣品的設(shè)備。這種設(shè)備通常包括一個或多個關(guān)鍵組成部分，如連接真空計(jì)的接口、反射式光電陰極入射光導(dǎo)入口...
4/6英寸輻射式樣品臺系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
4/6英寸輻射式樣品臺系統(tǒng)"可能指的是一種用于實(shí)驗(yàn)或研究的設(shè)備或組件，特別是在材料科學(xué)、物理學(xué)、工程學(xué)或其他需要精確控制和分析樣品的環(huán)境中的設(shè)備。
插拔式加熱器沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
插拔式加熱器沉積系統(tǒng)是一種方便、實(shí)用的加熱設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和商業(yè)領(lǐng)域。這種加熱器通常具有緊湊的設(shè)計(jì)，可以方便地插入到電源插座中，提供快速、高效的加熱功能...
脈沖激光沉積樣品臺 參考價(jià)：面議
脈沖激光沉積樣品臺是一種物理氣相沉積技術(shù)，用于在襯底上生長高質(zhì)量的薄膜。脈沖激光沉積系統(tǒng)中的樣品臺是一個關(guān)鍵組件，用于支撐和加熱待沉積的樣品。
脈沖激光沉積靶臺 參考價(jià)：面議
脈沖激光沉積靶臺的設(shè)計(jì)和應(yīng)用對于脈沖激光沉積系統(tǒng)的性能和實(shí)驗(yàn)結(jié)果具有重要影響。通過綜合考慮穩(wěn)定性、熱隔離、靈活性、靶材均勻性、冷卻機(jī)制以及靶材旋轉(zhuǎn)等因素，可以設(shè)...
脈沖激光沉積系統(tǒng)激光光路 參考價(jià)：面議
脈沖激光沉積系統(tǒng)激光光路是一個高度復(fù)雜和精密的系統(tǒng)，需要各個部分的緊密配合和精確控制，才能制備出高質(zhì)量的薄膜。同時，隨著科技的發(fā)展，脈沖激光沉積技術(shù)也在不斷地進(jìn)...
單腔體脈沖激光沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
單腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)是一種先進(jìn)的材料制備技術(shù)，它利用脈沖激光的高能量密度來蒸發(fā)和電離靶材上的物質(zhì)，并在基底上沉積形成各種物質(zhì)薄膜。這種系統(tǒng)通常包括一個沉積室，...
雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一種先進(jìn)的薄膜制備技術(shù)，它結(jié)合了脈沖激光沉積（...
電漿原子層沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
電漿原子層沉積設(shè)備是一種基于常規(guī)ALD的先進(jìn)方法，其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。
原子層沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
原子層沉積設(shè)備為一種氣相化學(xué)沉積技術(shù)。大多數(shù)的ALD反應(yīng)，將使用兩種化學(xué)物質(zhì)稱為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進(jìn)行反應(yīng)。
原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
原子層沉積系統(tǒng)是基于順序使用氣相化學(xué)過程的最重要技術(shù)之一；它可以被視為一種特殊類型的化學(xué)氣相沉積（CVD）。多數(shù)ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學(xué)物質(zhì)（稱為前驅(qū)物，...
批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備為一種使用化學(xué)氣相沉積技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，可在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質(zhì)量。
FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積 參考價(jià)：面議
FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造設(shè)備也變得更大，需要越來越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求...
感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用ICP的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不...
低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù)，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng)。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因。
電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用電漿的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜...
化學(xué)氣相沉積 參考價(jià)：面議
化學(xué)氣相沉積為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露于一種或多種揮發(fā)性氣體中，在基板表面上反應(yīng)或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用于在真空環(huán)境中制造高質(zhì)量與高...
PECVD等離子沉積設(shè)備DEPOLAB 200 參考價(jià)：面議
PECVD等離子沉積設(shè)備DEPOLAB 200根據(jù)其模塊化設(shè)計(jì)，PECVD Depolab 200可升級為更大的真空泵組，低頻射頻源和更多的氣路。
帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備SI 500 PPD 參考價(jià)：面議
帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備SI 500 PPD的特色是預(yù)真空室和干泵裝置，用于無油、高產(chǎn)量和潔凈的化學(xué)氣相沉積過程。
等離子沉積設(shè)備SI 500 D 參考價(jià)：面議
等離子沉積設(shè)備SI 500 D低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應(yīng)力、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能...
化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)氣相沉積工藝。
沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機(jī)、RIE刻蝕機(jī)、原子層沉積系統(tǒng)、PECVD和ICPECVD沉積設(shè)備，以滿足研發(fā)的要求。樣品可以通過預(yù)真空室和/或...
SENTECH二維材料刻蝕 參考價(jià)：面議
SENTECH二維材料刻蝕能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟擊。
原子層沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
原子層沉積設(shè)備：真遠(yuǎn)程等離子體源能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體，而不受紫外線輻射或離子...(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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